應用

可針對積體電路製程顯影前後之光阻(Photoresist , PR) 及底部抗反射塗層(Bottom Anti-Reflection Coating, BARC) 進行溶解去除，並對各種金屬及含矽之基材具有保護力，進而在清洗後可維持其金屬及基材之特性。適用範圍包含先進製程及封裝製程應用。

  產品特性

• 可去除厚光阻
• 可去除蝕刻後副產物
• 高金屬保護力
• 採用綠色溶劑(Non-NMP/DMSO)
• 高閃火點
• 高純度/ 低金屬雜質(<1ppb)